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KNX2906B N沟道场效应管代换 60V130A HY3306参数代换-KIA MOS管
?KNX2906B 60V130A HY3306参数代换-产品描述该功率MOSFET采用KIA的先进技术生产。该技术使功率MOSFET具有更好的特性，包括快速开关时间，低导通电阻，低栅电荷，特别是优异的雪崩特性。www.kiaic.com/article/detail/3844.html 2022-10-13
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【电源电路】PMOS防浪涌抑制电路分析-KIA MOS管
防浪涌抑制电路的基本原理是利用场效应管的电流放大特性，控制输入电流从0逐渐增加，缓慢的为输出侧电容充电，直至场效应管完全导通，从而避免由于输出侧电容的瞬间短路特性导致产生的大电流。www.kiaic.com/article/detail/3836.html 2022-10-13
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PMOS管作电源开关注意事项：开关速度过快-KIA MOS管
PMOS管用作电源开关注意事项：PMOS管作电源开关时因开关速度过快导致电源被拉下。www.kiaic.com/article/detail/3835.html 2022-10-13
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MOS管参数：TJ、TA、TC的计算分享-KIA MOS管
一般情况下 TC=TJ-P*Rjc 或者TA=TJ-P*RjaP是芯片最大的功耗 Rjc是结壳间的热阻Rja表示结与环境间的热阻www.kiaic.com/article/detail/3834.html 2022-10-12
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半导体器件的结温理解分析-KIA MOS管
结温是处于电子设备中实际半导体芯片（晶圆、裸片）的最高温度。它通常高于外壳温度和器件表面温度。结温可以衡量从半导体晶圆到封装器件外壳间的散热所需时间以及热阻。www.kiaic.com/article/detail/3833.html 2022-10-12
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【收藏】电源芯片温升计算分享-KIA MOS管
芯片温度是指晶体管芯片本身的温度Tj（结温）。芯片温度Tj是周围（环境）温度Ta与芯片发热量相加后的温度，是考虑额定值和寿命时最重要的因素之一。www.kiaic.com/article/detail/3832.html 2022-10-12
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电源芯片工作温度的计算、参数含义-KIA MOS管
TJ：芯片结温（Die junction temperature, °C）TC：芯片封装表面温度（Package case temperature, °C）TB：放置芯片的PCB板温度（Board temperature adjacent to package, °C）www.kiaic.com/article/detail/3831.html 2022-10-11
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【详细】开关电源元件参数中英文对照表分享-KIA MOS管
开关电源关键元件的各个参数中英文对照表www.kiaic.com/article/detail/3830.html 2022-10-11
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MOS管参数计算：vth、UnCox计算-KIA MOS管
一种方法直接看工艺库参数，但是现在的工艺库是基于BSIM，参数超级多，有考虑到很多二级效应。如果直接用工艺库的参数vth0，UnCox来计算的话，会发现计算的值和仿真的值相差比较大。www.kiaic.com/article/detail/3829.html 2022-10-11
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栅极电阻、栅源电阻作用分享-KIA MOS管
1.作为泄放电阻泄放掉G-S的少量静电，防止mos管产生误动作，甚至击穿mos管（因为只要有少量的静电便会使mos管的G-S极间的等效电容产生很高的电压），起到了保护mos管的作用。www.kiaic.com/article/detail/3828.html 2022-10-10
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MOS管栅极与源极之间为什么要加一个电阻？详解-KIA MOS管
MOS管栅极与源极加电阻作用1、为MOSFET提供一个供电，经过电阻分压从而得到分压值，也即所谓的提供一个偏置电压；www.kiaic.com/article/detail/3827.html 2022-10-10
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MOSFET驱动参数：最小门极电阻计算-KIA MOS管
该应用指南中由 Eq.6 得到了门极电流 i(t)i(t) 不振荡的阻尼条件 Eq.7，并以此得出了电流波形不振荡的最小门极电阻的计算公式。www.kiaic.com/article/detail/3826.html 2022-10-10
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【IC知识分享】-输入阻抗和输出阻抗、计算-KIA MOS管
输入阻抗：通过在输入端加上一个电压源U，测试输入端的电流I，则输入阻抗Rin=U/I。输入阻抗越大越好，电阻越大，可以得到的分压越大，驱动能力越强。输入阻抗越大，相对应的电源内阻就会显得越小。www.kiaic.com/article/detail/3825.html 2022-10-09
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Cadence仿真：NMOS管的漏端输出电阻-KIA MOS管
nmos管的输出电阻可以将栅端接地，在漏端加一个直流电压，测量Id ，然后作两者之间的比值即为漏端输出电阻。www.kiaic.com/article/detail/3824.html 2022-10-09